西安电子科大EDA硬件仿真领域频传捷报：华为、思尔芯联合赞助下的系列突破

7月24日消息，西安电子科技大学传来喜讯，其集成电路学部的游海龙教授与李聪教授领导的课题组，在EDA领域的硬件仿真编译技术上实现多项突破，并取得了显著的学术成绩。

这些创新成果已被国际顶级期刊IEEE TCAD及EDA领域的权威会议ICCAD、DATE采纳发表，特别值得一提的是，这是西电作为首署单位首次有论文入选ICCAD会议，标志着该校在该研究领域迈上了新的台阶。

相关研究工作获得国家自然科学基金项目、华为技术有限公司、上海思尔芯技术股份有限公司等校企合作项目资助，相关成果应用于我国硬件仿真器研发。

硬件仿真器（EMU）是仿真验证中的基础性 EDA 工具，硬件编译技术则是硬件仿真器研发的关键。课题组面向 FPGA、专用 CPU 等两种技术路线的 EMU 中电路划分，求解经典的超图划分 N-P 难问题领域，创新提出了面向多 FPGA 系统、处理器调度驱动的电路划分框架，实现了数十亿规模的超图划分高效优化求解，取得了相关成果。

拓扑序均衡感知的电路划分算法框架

为解决数十亿规模的电路仿真中调度驱动的划分问题，2024 国际计算机辅助设计会议（ICCAD）收录了研究团队最新研究成果，在 TopoOrderPart: a Multi-level Scheduling-Driven Partitioning Framework for Processor-Based Emulation 的论文中，创新性地提出一种拓扑序均衡感知的电路划分算法框架。

该方法通过将大规模电路根据拓扑序均衡度进行高效地聚类，巧妙地利用电路节点的连接度和拓扑均衡度获取初始结果，进而在每一层展开电路上进行有效地改善，实现了编译流程中的高质量划分。

这一创新性方法不仅填补了调度驱动的电路划分方向的研究空白，也为高性能的硬件仿真提供了重要研究思路。

该工作的第一作者为集成电路学部 2022 级博士研究生毕舜阳，西安电子科技大学为第一完成单位，游海龙教授为通讯作者。

TopoPart 框架

为解决因多 FPGA 系统拓扑、TDM 等因素导致划分后电路时序性能下降的问题，研究团队在 MaPart: An Efficient Multi-FPGA System-Aware Hypergraph Partitioning Framework 论文中创新性地提出了一个零违例的高效划分器 TopoPart+，该划分器被集成在一个二分查找的算法框架中，实现最小 hop 的初始划分方案，进而在拓扑感知和拥塞路径驱动的改善下得到细化的高质量划分结果。

为控制布线阶段的 hop 的延时，团队还巧妙地结合分层图思想实现了布线算法。这一系列突破性的工作极大地提升了电路仿真时时序性能，展现了在时序驱动的划分的重要进展。

该成果论文于 2024 年 4 月被计算机辅助设计领域顶级国际学术期刊 TCAD（IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems）录用并出版，该工作的第一作者为集成电路学部 2020 级博士研究生李本正，第二作者为 2022 级博士研究生毕舜阳，游海龙教授为通讯作者，西安电子科技大学为第一完成单位。

候选 FPGA 传播算法

为解决多 FPGA 系统划分中因拓扑违例导致划分后时序性能下降的问题，2024 欧洲设计、自动化与测试会议（DATE）收录了研究团队游海龙教授研究团队 An Efficient Hypergraph Partitioner under Inter - Block Interconnection Constraints 论文，并于 7 月受邀做大会报告。

论文提供了一种消除违例的候选 FPGA 传播算法，结合高效的划分算法，该方案最终可实现多 FPGA 系统划分后零违例的目标，潜在提升了编译的时序性能，为实现高性能硬件仿真和原型验证方面提供了广阔应用前景。

该工作的第一作者为集成电路学部 2020 级博士研究生李本正，游海龙教授为通讯作者，西安电子科技大学为第一完成单位。

查询获悉，TCAD（IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems）是集成电路与系统计算机辅助设计领域国际公认的顶尖学术期刊，也是中国计算机学会（CCF）认定的 A 类期刊。

国际计算机辅助设计会议（ICCAD）和欧洲设计、自动化与测试会议 (DATE) 是 EDA 领域水平最高的国际会议之一，是中国计算机学会（CCF）推荐的计算机体系结构与高性能计算方向顶级国际学术会议，会议每年文章投稿量近千篇，每年的接收率为 20%-25%。

西安电子科大实现1200V以上e-GaN芯片量产，半导体行业迎来新里程碑

7月11日消息，科研领域传来振奋人心的消息，西安电子科技大学位于广州的研究机构——广州研究院第三代半导体创新中心，其研究团队在半导体材料科学领域取得了显著成就。

该团队在蓝宝石衬底上的增强型氮化镓(e-GaN)电力电子芯片的批量生产技术上，成功攻克了一系列关键性难题，实现了技术的重大突破。

研究团队攻克了≥1200V 超薄 GaN（氮化镓）缓冲层外延、p-GaN 栅 HEMTs 设计与制造、可靠性加固、高硬度材料封测等整套量产技术，成功开发出阈值电压超过 2V、耐压达 3000V 的 6 英寸蓝宝石基增强型 e-GaN HEMTs 晶圆。该研究发表在《IEEE Electron Device Letters》上并入选封面 highlight 论文。

在该项目的研究中，研究团队还成功研发了 8 英寸 GaN 电力电子芯片，首次证明了 8 英寸蓝宝石基 GaN HEMTs 晶圆量产的可行性，并打破了传统 GaN 技术难以同时兼顾大尺寸、高耐压、低成本的国际难题，被国际著名半导体行业杂志《Semiconductor Today》专题报道。