SK海力士宣布9月末启动12层HBM3E内存大规模生产，强化市场领导地位

近日消息，SK海力士社长金柱善在SEMICON大师论坛上发表了重要演讲。他强调，公司目前的8层HBM3E存储解决方案已稳居市场领导地位。更为引人注目的是，SK海力士宣布将于本月内正式启动其下一代12层HBM3E产品的量产进程，这一举措无疑将进一步巩固其在高速内存技术领域的前沿地位。

SK 海力士在 HBM 产品拥有全球最高的市占率，HBM3E 也是现今市面上最具主导地位的产品，预计本月就会推出 12 层堆叠的 HBM3E 产品，以因应 AI 服务器的庞大需求。

此外，SK 海力士也正在与台积电合作进行下一代 HBM4 的研发，将配合客户量产时间进行供货，预计将是首款在基础裸晶（Basedie）芯片上应用逻辑制程工艺生产的产品。

据此前报道，目前 8 层和 12 层 HBM3E 支持 36GB 容量，每秒可处理超过 1.18TB 数据，而 HBM4 将提供 12 层和 16 层产品，最大容量为 48GB，数据处理速度可超过每秒 1.65TB。

SK海力士DDR5内存涨价风波：HBM3/3E生产压力促使价格上浮15%-20%

近日消息，SK海力士对其DDR5 DRAM芯片实施了15%至20%的价格上调。据供应链内部人士分析，此次涨价主要归因于HBM3/3E内存产品的生产扩张，进而导致的产能紧张。这一变动反映出存储市场供需动态的变化及高端产品线对资源的占用情况。

今年 6 月就有消息称 DDR5 价格在今年有着 10%-20% 上涨空间：各大厂商已为 2024 年 DDR5 芯片分配产能，这表明价格已经不太可能下降；再加上下半年是传统旺季，预计价格会有所上涨。

早些时候还有报道，SK 海力士等三大原厂采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即将在 2024~2025 年推出。而从下代 1d nm 节点开始，先进内存将使用 EUV 多重曝光，大幅提升生产流程中 EUV 光刻环节的成本。

SK海力士M16晶圆厂扩产在即，DRAM内存产能预计跃升18%

8月14日消息，SK海力士已作出战略举措，向其上游设备供应商下达了关键生产设备的订单，旨在增强M16晶圆厂的生产能力，特别是针对高带宽内存（HBM）及通用DRAM内存。这一举动预期将扩大其在内存市场的供应能力，满足不断增长的高性能计算和数据中心领域的需求。

注：SK 海力士 M16 晶圆厂位于韩国京畿道利川市，目前拥有每月约 10 万片 12 英寸晶圆的 DRAM 产能。

两家韩媒对具体扩产幅度的报道略有差异：《首尔经济日报》认为是至少每月 7 万片晶圆，也提到了每月 8 万片；有媒体则认为是每月 8 万~10 万片晶圆。

分析机构 Omdia 此前预估，SK 海力士 DRAM 内存产能将于本季度达到每月 44 万片晶圆，以每月 8 万片的扩产幅度计算，相当整体产能的 18.2%。

不同于在平泽工厂拥有大量空置面积的三星，SK 海力士在 2025 年 11 月清州 M15X 晶圆厂竣工量产前提升 DRAM 产能的唯二手段是充分利用利川 M16、M14 两厂的剩余空间与升级制程。

SK 海力士目标最早在本月完成下代 1c nm DRAM 内存的实验室测试，2025 年二季度启动 1c nm DRAM 试产，明年底在清州 M16 工厂启动相应设备安装。