台积电晶圆制造新里程碑：2nm制程工艺工厂预计4月启动设备安装进程

台湾积体电路制造股份有限公司，属于半导体制造公司，在近日的消息中，台积电将在明年开始量产其更先进的2nm制程工艺。这意味着工厂和设备需要做好准备以确保顺利生产。

供应链合作伙伴的消息表明，位于新竹科学园区的宝山P1晶圆厂最快将在今年4月份开始安装相关设备，为2nm工艺的量产做好准备。

苹果公司预计仍将继续采用台积电的3nm和2nm工艺为其iPhone 15 Pro系列代工A17 Pro芯片。这些芯片正在按计划推进，并将于明年投入市场。

台积电CEO魏哲家多次在财报分析师电话会议上谈到他们的2nm工艺。他表示，研发进展顺利，按照计划将在2025年量产。采用这一工艺代工的芯片将具有更高的晶体管密度、更好的能效和更强的性能。

台积电高层看淡摩尔定律终结，强调技术进步为王道

近日消息，台积电工艺技术高管张晓强博士在最近的访谈中表达了他对摩尔定律现状的见解，称其关注点不在于摩尔定律是否延续有效，而聚焦于技术本身的持续演进与创新突破。

摩尔定律曾指出，半导体市场经济仅取决于晶体管密度，而与功耗无关。然而，随着应用的发展，芯片制造商开始关注性能、功耗和面积（PPA）的提升，以保持持续进步。

台积电的优势在于每年都能推出新的工艺技术，并为客户提供所需的 PPA 改进。苹果作为台积电最重要的客户，其处理器的发展历程正是台积电工艺技术进步的缩影。

不过，台积电的能力远不止于此。AMD 的 Instinct MI300X 和 MI300A 处理器充分利用了台积电的 2.5D 和 3D 封装技术，是其技术实力的最佳例证。

张晓强认为，业界对摩尔定律的定义过于狭隘，仅限于二维扩展。而实际上，半导体行业一直在寻找不同的方法，将更多的功能和能力集成到更小的封装中，同时提升性能和能效。因此，从这个角度来看，摩尔定律，或者说技术进步，将继续下去。

当被问及台积电在渐进式工艺节点改进方面取得的成功时，张晓强强调，其工艺节点的进步远非微小，从 5 纳米级工艺节点过渡到 3 纳米级工艺节点，每代 PPA 改进超过 30%。台积电继续在主要节点之间进行较小但持续的增强，使客户能够从每一代新技术中获益。

台积电晶圆成本上扬，2025年价格调整或触及双位数增长

近日消息，全球领先的半导体制造商台积电正酝酿新一轮的价格调整策略，预计于2025年实施。面对不断攀升的生产成本，台积电计划对各类晶圆代工服务进行调价，涨幅预估将落在10%左右，此举旨在应对日益增加的运营开支，同时确保公司的盈利能力与市场竞争力。

据报告，由于消费电子和高性能计算领域对先进处理器的强劲需求，台积电有意提高其在 2025 年的整体晶圆价格。与人工智能和高性能计算客户（例如英伟达）的谈判表明，这些客户可以接受约 10% 的涨价幅度，例如 4nm 制程的晶圆价格可能从 18,000 美元左右涨到 20,000 美元左右。

因此，预计主要用于 AMD 和英伟达等公司的 4nm 和 5nm 制程的晶圆平均售价 (ASP) 将上涨 11%。这意味著对于部分客户而言，N4 / N5 制程的晶圆价格自 2021 年第一季度以来累计上涨约 25%。

报告称，尽管对智能手机和消费电子产品客户（例如苹果）提出涨价要求颇具挑战，但有迹象表明他们能接受适度的涨价。摩根士丹利预计，2025 年 3nm 制程晶圆的平均售价将上涨 4%。

虽然晶圆价格取决于最终协议和产量，但有业内人士认为，台积电 N3 制程的晶圆生产成本可能在 20,000 美元或以上，并且肯定会进一步上涨。摩根士丹利认为，企业应该能够将部分额外成本转嫁给终端用户。

与先进制程不同，由于产能充足，16nm 等成熟制程预计不会涨价。

为了让客户更愿意支付额外费用，摩根士丹利最近的供应链调查显示，台积电暗示其领先制程产能可能出现短缺，除非客户“认可台积电的价值”才能确保产能分配。

此外，摩根士丹利分析师认为，未来两年先进的 CoWoS 封装价格可能会飙升 20%。

2022 年，台积电将晶圆价格上调了 10%，2023 年又追加了 5%。展望未来，预计 2025 年还将会有 5% 的综合涨幅，以期帮助台积电的毛利率在 2025 年反弹至 53% - 54%。

台积电A14P制程蓄势待发：2028年预计引入High NA EUV光刻革新

近日消息，台积电预计将于2028年在其A14P制程技术中集成最新的High NA EUV光刻技术，这一革新之举预示着半导体制造领域将迎来又一重要里程碑。

台积电目前正式公布的最先进制程为 A16，该工艺将支持背面供电网络（BSPDN），定于 2026 下半年量产。从目前消息来看，在 A16 上台积电仍将采用传统的 Low NA (0.33NA) EUV 光刻机。

台媒在报道中表示，台积电在 A16 后的下一代工艺 A14 预计于 2026 上半年进入风险试产阶段，最快 2027 年三季度量产，该节点的主力光刻设备仍将是 ASML 的 NXE:3800E Low NA EUV 机台。

而在 A14 改进版 A14P 中，台积电有望正式启用 High NA EUV 光刻技术，该节点在时间上大致落在 2028 年。

台积电将在 2030 年后进入 A10 等更先进世代，届时会全面导入 High NA EUV 技术，进一步改进制程技术的成本与效能。

报道还提到，台积电已完成量产用 ASML High NA EUV 光刻机的首阶段采购。

而在研发用机台方面，ASML 此前已经披露，将在 2024 年内交付台积电的首台 High NA EUV 光刻机，价值达 3.8 亿美元（当前约 27.62 亿元人民币）。

台积电的先进代工竞争对手中，英特尔明确将在 Intel A14 节点使用 High NA 光刻；三星电子虽早已向 ASML 下单 High NA EUV 光刻机但未明确何时启用；Rapidus 的 High NA 节点至少也要等到 2nm 后。

台积电谈判奏效：首台High NA EUV光刻机采购价远低预期，ASML原价3.5亿欧元遭砍价

9月10日消息，英特尔于2024年4月率先宣布完成全球首台高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV）的组装工作后，台积电紧随其后，宣布将于本月内在其竹科园区部署首台同类型先进设备，比先前行业观察者的预期提早了三个月，显著加速了半导体制造技术的迭代步伐。

台积电首部 High NA EUV 设备的购入价格远低于原定的 3.5 亿欧元（当前约 27.55 亿元人民币）报价。

据称，台积电之所以可以享受折扣，主要是因为 ASML 给出了很大让步（毕竟台积电可是超级 VIP），全力协助台积电进机、调校与技术支援等，加速上线时间点，也就是此台主要目的为台积电试用。ASML 对此则表示，不评论单一客户。

供应链表示，随着未来 3nm 产能满载与预计 2025 年 Q4 量产的 2nm 制程客户订单陆续落袋，台积电已重启 EUV 设备拉货动能，估计此波新单规模约达 70 台。

台积电目前已经掌控绝对市场占有率优势与话语权，也是至今 EUV 设备下单量最多的客户，再加上是 High NA EUV 最大客户，台积电很显然掌握着与 ASML 的议价优势。