时间:2024-09-25 21:58:39
编辑:波波资源网
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8月6日消息,台积电宣布其CoWoS先进封装技术中的关键CoW步骤代工订单首次外放,矽品成功夺得这一合作机会。矽品计划于中科园区内增设相关生产线,投资力度大,预计到2025年第二季度完成机台安装,随后第三季度将实现产能显著提升,此番合作无疑将加深双方在半导体高端制造领域的协同效应。
报道提到,本次具体委托的工艺来自 CoWoS-S,即使用高性能高成本硅中介层(Si Interposer)的 CoWoS。
台积电 CoWoS 先进封装可大致分为 CoW 和 WoS 两步骤,前者结合芯片与中介层,而后者则负责将中介层同基板封装到一起。其中 CoW 更为复杂、利润也更为丰厚;WoS 较为简单、利润较低。
台积电此前已将部分 WoS 工序委托给 OSAT 企业,以提升 CoWoS 整体产能;此次将委外扩展到 CoW 阶段,也是受 CoWoS 持续供不应求的影响。
至于承接 CoW 代工的矽品,本身已与英伟达、AMD 在先进封装领域展开合作,不仅能提供类台积电 CoWoS-S 的封装服务,甚至在面积更大、更为复杂的 CoWoS-L 上也具有技术实力。
除矽品外,日月光、Amkor 安靠两家封测巨头也具备承接台积电 CoWoS 委外订单的能力。
近日消息,台积电预计将于2028年在其A14P制程技术中集成High NA EUV(极紫外光刻)技术,这一革新举措标志着半导体制造领域的重要进步,将极大提升芯片的性能与能效。
对此,台积电海外营运资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示,仍在评估 High NA EUV 应用于未来制程节点的成本效益与可扩展性,目前采用时间未定。
上个月,ASML 透露将在 2024 年内向台积电交付首台 High NA EUV 光刻机,价值达 3.8 亿美元(当前约 27.6 亿元人民币)。
在此之前,ASML 已于 2023 年 12 月向英特尔开始交付全球首台 High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5000 的首批模块,并已于今年 4 月 18 日完成组装。
ASML 表示,这台光刻机重量高达 150 吨,相当于两架空中客车 A320 客机,全套系统需要 43 个货运集装箱内的 250 个货箱来装运,一开始预计需要 250 名工程人员、历时 6 个月才能完成安装。
资料显示,ASML 的第一代 High NA EUV(EXE:5000)分辨率达 8nm,可以实现比现有 EUV 光刻机小 1.7 倍物理特征的微缩,从将单次曝光的晶体管密度提高 2.9 倍,可以使芯片制造商能够简化其制造流程。据介绍,EXE:5000 每小时可印刻 185 个以上的晶圆,而且 ASML 还制定了到 2025 年提高到每小时 220 片晶圆的计划。
也就是说,ASML 第一代 High NA EUV 并不是专门用于芯片量产的机型,而是用于尖端工艺的开发和验证;其第二代 High NA EUV 光刻机才是主要面向于尖端制程量产的光刻系统。值得一提的是,英特尔此前已宣布将率先采用 ASML 第二代 High NA EUV——TWINSCAN EXE:5200B 系统。
台积电迈入晶圆代工新篇章,市场规模预期倍增,开启2.0时代新纪元
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音乐舞蹈136.03MB
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角色扮演52.48MB
休闲益智48.44MB
枪战射击497.83MB
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台积电委外新纪元:CoW封装工艺由矽品突破性承接订单
时间:2024-09-25 21:58:39
编辑:波波资源网
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8月6日消息,台积电宣布其CoWoS先进封装技术中的关键CoW步骤代工订单首次外放,矽品成功夺得这一合作机会。矽品计划于中科园区内增设相关生产线,投资力度大,预计到2025年第二季度完成机台安装,随后第三季度将实现产能显著提升,此番合作无疑将加深双方在半导体高端制造领域的协同效应。
报道提到,本次具体委托的工艺来自 CoWoS-S,即使用高性能高成本硅中介层(Si Interposer)的 CoWoS。
台积电 CoWoS 先进封装可大致分为 CoW 和 WoS 两步骤,前者结合芯片与中介层,而后者则负责将中介层同基板封装到一起。其中 CoW 更为复杂、利润也更为丰厚;WoS 较为简单、利润较低。
台积电此前已将部分 WoS 工序委托给 OSAT 企业,以提升 CoWoS 整体产能;此次将委外扩展到 CoW 阶段,也是受 CoWoS 持续供不应求的影响。
至于承接 CoW 代工的矽品,本身已与英伟达、AMD 在先进封装领域展开合作,不仅能提供类台积电 CoWoS-S 的封装服务,甚至在面积更大、更为复杂的 CoWoS-L 上也具有技术实力。
除矽品外,日月光、Amkor 安靠两家封测巨头也具备承接台积电 CoWoS 委外订单的能力。
台积电审慎考量High NA EUV光刻机引入,应用时程尚未敲定
近日消息,台积电预计将于2028年在其A14P制程技术中集成High NA EUV(极紫外光刻)技术,这一革新举措标志着半导体制造领域的重要进步,将极大提升芯片的性能与能效。
对此,台积电海外营运资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示,仍在评估 High NA EUV 应用于未来制程节点的成本效益与可扩展性,目前采用时间未定。
上个月,ASML 透露将在 2024 年内向台积电交付首台 High NA EUV 光刻机,价值达 3.8 亿美元(当前约 27.6 亿元人民币)。
在此之前,ASML 已于 2023 年 12 月向英特尔开始交付全球首台 High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5000 的首批模块,并已于今年 4 月 18 日完成组装。
ASML 表示,这台光刻机重量高达 150 吨,相当于两架空中客车 A320 客机,全套系统需要 43 个货运集装箱内的 250 个货箱来装运,一开始预计需要 250 名工程人员、历时 6 个月才能完成安装。
资料显示,ASML 的第一代 High NA EUV(EXE:5000)分辨率达 8nm,可以实现比现有 EUV 光刻机小 1.7 倍物理特征的微缩,从将单次曝光的晶体管密度提高 2.9 倍,可以使芯片制造商能够简化其制造流程。据介绍,EXE:5000 每小时可印刻 185 个以上的晶圆,而且 ASML 还制定了到 2025 年提高到每小时 220 片晶圆的计划。
也就是说,ASML 第一代 High NA EUV 并不是专门用于芯片量产的机型,而是用于尖端工艺的开发和验证;其第二代 High NA EUV 光刻机才是主要面向于尖端制程量产的光刻系统。值得一提的是,英特尔此前已宣布将率先采用 ASML 第二代 High NA EUV——TWINSCAN EXE:5200B 系统。
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