三星电子发力未来XR内存技术，积极研发LLW DRAM，剑指苹果新一代设备订单

7月18日消息，三星电子目前正致力于LLW DRAM内存技术的研发，此举是为了抢滩未来苹果Vision Pro后续型号或其他新型头显设备的内存供应合同，凸显其在高端存储解决方案领域的前瞻性布局。

LLW DRAM 全称 Low Latency Wide I/O DRAM，是一种高性能特殊内存，拥有数量众多的 I/O 引脚，具备高带宽低延迟低功耗的优势。

三星电子宣称，其 LLW DRAM 内存产品可实现 128GB/s 的带宽，同时能耗仅有 1.2pJ/bit。

据此前报道，与苹果 Vision Pro 头显上 R1 芯片配套的 LLW DRAM 内存由 SK 海力士独家供应，可提供 256GB/s 带宽。

该内存单颗容量为 1GB，I/O 引脚数量是传统内存的八倍。如果以目前 LPDDR5 内存的 64bit 作为基础，那 SK 海力士提供的 LLW DRAM 内存位宽可达 512bit。

韩媒报道提到，苹果曾于 2022 年同三星电子就 LLW DRAM 供应进行过洽谈，但最终 SK 海力士得到了这份订单。

三星电子正积极开发 LLW DRAM内存技术，目前正处于小规模生产阶段，目标未来从 SK 海力士的手中夺取这一细分领域的市场份额。

三星Galaxy S25系列手机内部代号“Paradigm”曝光：预示颠覆性创新即将登场

近日消息，有媒体报道，即将于明年1月面世的三星Galaxy S25系列手机内部代号曝光——“Paradigm”（典范/范式），此命名暗含着下一代旗舰机型或将引领手机行业新变革，预示着技术与设计的重大飞跃即将到来。

三星 Galaxy S23 系列的内部代号为 Diamond，而 Galaxy S24 系列的内部代号为 Eureka，此前只是这些代号通常不会透露太多关于设备本身的信息。

继 D 和 E 之后，Galaxy S25 长期以来一直被毫无意义地标注为字母“F”。消息源表示三星在 Galaxy S25 系列中调整了代号命名规格，不再使用毫无意义的字母顺序命名，而是使用了 Paradigm。

注：范式本身所代表的就是规则、一种基础思维模式，通常搭配范式转变、范式创新等，用于描述行业规则的重大调整。

我们在 Galaxy S25 Ultra 的早期渲染图中看到了明显的设计变化，遗憾的是，这些变化在其他机型上似乎并不那么突出。