SK海力士副总裁展望AI时代：存储产品蜕变，从基础元件跃升为综合性解决方案

8月28日消息，SK海力士的系统架构部门主管Park Kyung先生在昨日召开的一场韩国学术论坛上阐述了一个关键观点：在人工智能(AI)时代背景下，存储产品正经历着从传统零部件到综合性解决方案的转型升级。

박경表示：

仅仅拥有 DRAM 设计技能已经不够了。我们需要从“运营和系统”的角度，而不仅仅是从半导体技术的角度，来审视系统是如何变化的，以及存在哪些机遇和挑战。半导体生态系统过去由供求关系主导，但未来它需要转变为一种解决共同目标的合作关系。我们如何快速应对这种结构，就是我们如何将未来产品快速推向市场的关键。

就 SK 海力士在 HBM 内存这一 AI 领域热点产品取得龙头地位，这位副总裁则称：

我不清楚我们是因擅长而排名第一，还是因排名第一而擅长。但我总是认为是后者。我们需要比现在更谦虚地对待技术，我们需要更努力地探索我们未知的内容。

而在技术层面，박경设想了将目前主要用于 CPU 系统内存扩展的 CXL 内存模块（SK 海力士对其简称为 CMM）应用到 AI XPU 中，为面临片外缓存容量和带宽瓶颈的 AI 芯片提供助力。

박경表示 SK 海力士的 CXL 2.0 CMM 样品已经性能稳定，正在与主要客户合作进行测试认证，获得订单后才有可能量产。

此外 SK 海力士现有 CXL 2.0 CMM 中使用的控制器来自澜起，但 SK 海力士也在内部开发 CXL 主控，目标下代 CMM 模块采用自研控制器。

SK海力士携手台积电，N5版基础裸片助力HBM4内存效能飞跃

7月17日消息，全球领先的半导体制造商SK海力士宣布了一项重要的技术决策，将采用台积电（TSMC）的N5（5纳米）工艺技术来生产下一代高带宽内存（High Bandwidth Memory，简称HBM4）的基础裸片（Base Die）。

新一代 HBM 内存 HBM4 的 JEDEC 标准即将定案。而根据IT之家此前报道，SK 海力士的首批 HBM4 产品（12 层堆叠版）有望于 2025 年下半年推出。

SK 海力士和台积电双方于今年 4 月签署了合作谅解备忘录，宣布将就 HBM 内存的基础裸片加强合作。

而台积电在 2024 年技术研讨会欧洲场上表示，该企业准备了两款 HBM4 内存基础裸片，分别为面向价格敏感性产品的 N12FFC+ 版和面向高性能应用的 N5 版。

其中 N5 版基础裸片面积仅有 N12FFC+ 版的 39%，同功率下逻辑电路频率可达 N12FFC+ 版的 155%，同频率功耗则仅有 35%。

N5 工艺版基础裸片可实现 6~9μm 级别的互联间距，在目前流行的 2.5D 式封装集成外还能支持 HBM4 内存同逻辑处理器的 3D 垂直集成。这一纵向结构可提供更大的内存带宽，将深远改变 HPC&AI 芯片生态。

HBM 内存基础裸片转由逻辑晶圆厂生产也是半导体制造两大领域走向融合的最好证明。韩媒在报道中提到，SK 海力士和三星电子均正为其 HBM 内存团队补充逻辑设计人才。

SK海力士布局2.5D先进封装技术，强化HBM内存市场主导地位

7月17日消息，全球领先的存储解决方案提供商SK海力士与封装测试外包(OSAT)行业的领军企业Amkor展开深度合作洽谈，聚焦于先进硅中介层(Si Interposer)技术的联合开发。

SK 海力士将向 Amkor 一并供应 HBM 内存和 2.5D 封装用硅中介层，Amkor 则负责利用硅中介层实现客户逻辑芯片与 SK 海力士 HBM 内存的集成。

SK 海力士官方人士向韩媒回应称：“（谈判）目前仍处于早期阶段。我们正在进行各种审查，以提供中介层来满足客户的需求。”

硅中介层是性能优秀的 HBM 内存集成中介材料，被视为 2.5D 封装的核心。

韩媒表示，市面上仅有四家企业（台积电、三星电子、英特尔、联电）拥有制备硅中介层的能力，而前三家公司也因此成为了专业先进封装的领军者。

SK 海力士如果能实现硅中介层的量产，就意味着其能提供“HBM + 硅中介层”的成套供应，不再完全受台积电 CoWoS 产能制约，可提升 SK 海力士向英伟达等客户交付 HBM 的能力。

此外，三星电子计划通过逻辑代工 + HBM 内存 + 先进封装的全流程“交钥匙”方案与 SK 海力士争夺 HBM 订单；

SK 海力士延长自身产品链也有助于减少三星电子对 HBM 业务的冲击。

SK海力士强化环保举措，采用氟气替换三氟化氮于芯片生产，引领绿色制造潮流

近日消息，SK海力士宣布了一项环保举措，即将在芯片制造的清洗流程中采用氟气（F2），此举旨在减少生产过程中的环境影响，推进半导体产业的绿色化进程。

SK 海力士 2024 可持续发展报告显示，该公司原先将三氟化氮（NF3）用于芯片生产过程中的清洗工艺，用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物，其全球变暖潜能值（GWP）显著高于氟气（NF3 的 GWP 为 17200，而 F2 为 0）。

除此之外，SK 海力士还进一步增加了氢氟酸（HF）的使用量（可用于低温蚀刻设备），该气体的 GWP 为 1 甚至更低，远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。